電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近,廠盯成英特尔EMIB封装火了,上英在苹果、厂盯成%E3%80%90WhatsApp%20+86%2015855158769%E3%80%91jensen%20mr-550-bl%20portable%20am%20fm%20radio高通、上英博通的厂盯成招聘信息中,都指出正在招募熟悉EMIB封装的上英工程师。近期还有消息称,厂盯成由于台积电CoWoS 先进封装产能持续紧张,上英Marvell和联发科也正在考慮將英特尔EMIB封裝应用到ASIC芯片中。厂盯成%E3%80%90WhatsApp%20+86%2015855158769%E3%80%91jensen%20mr-550-bl%20portable%20am%20fm%20radio
EMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge,上英嵌入式多芯片互連橋)是廠盯成英特尔主導(dǎo)推廣的一種2.5D 先進(jìn)封裝技術(shù),通過(guò)在有機(jī)封裝基板中嵌入小型硅橋?qū)崿F(xiàn)多個(gè)芯片 (芯粒) 之間的上英高速互連,是廠盯成業(yè)界首個(gè)采用嵌入式橋接的 2.5D 解決方案。2017年英特尔首次在Kaby Lake-G处理器中引入EMIB技术,上英实现CPU与AMDGPU之間的厂盯成高速互連。
EMIB 的核心在于局部化高密度互連設(shè)計(jì),与臺(tái)積電 CoWoS 把整個(gè)封裝區(qū)域鋪在一張大尺寸硅中介層上不同,EMIB不使用覆蓋整個(gè)封裝的大型硅中介層,而是采用尺寸很小的硅橋嵌入基板;硅橋上構(gòu)建高密度再布線層(RDL),可提供 800-1000 I/O/mm2 的布線密度,實(shí)現(xiàn)芯片間的高速數(shù)據(jù)傳輸;芯片通過(guò)雙凸點(diǎn)間距設(shè)計(jì)与硅橋連接:C4 凸點(diǎn) (大間距,約 100μm) 用于基板連接,C2 凸點(diǎn) (小間距,45-55μm) 用于硅橋高速互連,在保障 TB 級(jí)帶寬的同時(shí),將封裝成本降低 30-40%。。
這種設(shè)計(jì)帶來(lái)三大核心優(yōu)勢(shì)。硅材料利用率達(dá) 90%(遠(yuǎn)超傳統(tǒng)中介層的 60%)、熱膨脹系數(shù)不匹配問(wèn)題緩解(硅占比低)、支持多芯片靈活組合。其制造流程簡(jiǎn)化為硅橋制備、基板開(kāi)槽嵌入、芯片鍵合三步,避免了復(fù)雜 TSV(硅通孔)工藝,良率与標(biāo)準(zhǔn) FCBGA 封裝相當(dāng)。
目前,EMIB 系列技术的迭代遵循基础互连→性能增强→功能扩展→维度升级的路径:
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EMIB 标准版:2.5D 封装的基础形态,以低成本局部互连为核心定位?
EMIB-M:在标准版基础上强化电源完整性,在硅桥中集成MIM (金属 - 绝缘体 - 金属)电容,增強(qiáng)电源完整性,適合高功率 AI应用
EMIB-T:引入 TSV 通孔技術(shù),進(jìn)一步提升互連密度,突破內(nèi)存集成与功率傳輸瓶頸?
EMIB 3.5D:融合 3D 堆叠技术,实现垂直堆叠和水平桥接的混合集成架构,总互连带宽较 EMIB-T提升200%。
从成本来看,CoWoS以全覆盖硅中介层为核心,通过大面积硅基材料实现极致互连密度,但硅中介层占 BOM 成本 50-70%。CoWoS-L虽采用混合中介设计,成本仍比 EMIB-T 高 60% 以上。?
而EMIB以局部硅桥为核心,硅材料用量仅为CoWoS 的 1/3-1/5,封装成本整体低35-50%。EMIB-T引入 TSV 后,在性能逼近 CoWoS-L 的同时,成本仍保持 30% 以上优势。
EMIB 是英特尔創(chuàng)新的2.5D 封裝技術(shù),通過(guò)新的封裝思路,在成本、性能和靈活性間取得平衡。尤其在 AI 芯片需求爆發(fā)、臺(tái)積電 CoWoS 產(chǎn)能緊張的背景下,EMIB 正成為芯片設(shè)計(jì)公司的重要選擇,推動(dòng)先進(jìn)封裝市場(chǎng)從一家獨(dú)大向多元競(jìng)爭(zhēng)格局轉(zhuǎn)變。隨著 AI 芯片面積增大、HBM 顆數(shù)增多、先進(jìn)封裝產(chǎn)能緊缺,EMIB 正被越來(lái)越多云廠商和芯片公司視為高性價(jià)比替代路線,并將在 2026–2028 年迎來(lái)更大規(guī)模的上量。