電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近，廠盯成英特尔EMIB封装火了，上英在苹果、厂盯成%E3%80%90WhatsApp%20+86%2015855158769%E3%80%91jensen%20mr-550-bl%20portable%20am%20fm%20radio高通、上英博通的厂盯成招聘信息中，都指出正在招募熟悉EMIB封装的上英工程师。近期还有消息称，厂盯成由于台积电CoWoS 先进封装产能持续紧张，上英Marvell和联发科也正在考慮將英特尔EMIB封裝应用到ASIC芯片中。厂盯成%E3%80%90WhatsApp%20+86%2015855158769%E3%80%91jensen%20mr-550-bl%20portable%20am%20fm%20radio

EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，上英嵌入式多芯片互連橋）是廠盯成英特尔主導(dǎo)推廣的一種2.5D 先進(jìn)封裝技術(shù)，通過(guò)在有機(jī)封裝基板中嵌入小型硅橋?qū)崿F(xiàn)多個(gè)芯片 (芯粒) 之間的上英高速互連，是廠盯成業(yè)界首個(gè)采用嵌入式橋接的 2.5D 解決方案。2017年英特尔首次在Kaby Lake-G处理器中引入EMIB技术，上英实现CPU与AMDGPU之間的厂盯成高速互連。

EMIB 的核心在于局部化高密度互連設(shè)計(jì)，与臺(tái)積電 CoWoS 把整個(gè)封裝區(qū)域鋪在一張大尺寸硅中介層上不同，EMIB不使用覆蓋整個(gè)封裝的大型硅中介層，而是采用尺寸很小的硅橋嵌入基板；硅橋上構(gòu)建高密度再布線層(RDL)，可提供 800-1000 I/O/mm2 的布線密度，實(shí)現(xiàn)芯片間的高速數(shù)據(jù)傳輸；芯片通過(guò)雙凸點(diǎn)間距設(shè)計(jì)与硅橋連接：C4 凸點(diǎn) (大間距，約 100μm) 用于基板連接，C2 凸點(diǎn) (小間距，45-55μm) 用于硅橋高速互連，在保障 TB 級(jí)帶寬的同時(shí)，將封裝成本降低 30-40%。。

這種設(shè)計(jì)帶來(lái)三大核心優(yōu)勢(shì)。硅材料利用率達(dá) 90%（遠(yuǎn)超傳統(tǒng)中介層的 60%）、熱膨脹系數(shù)不匹配問(wèn)題緩解（硅占比低）、支持多芯片靈活組合。其制造流程簡(jiǎn)化為硅橋制備、基板開(kāi)槽嵌入、芯片鍵合三步，避免了復(fù)雜 TSV（硅通孔）工藝，良率与標(biāo)準(zhǔn) FCBGA 封裝相當(dāng)。

目前，EMIB 系列技术的迭代遵循基础互连→性能增强→功能扩展→维度升级的路径：
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EMIB 标准版：2.5D 封装的基础形态，以低成本局部互连为核心定位?
EMIB-M：在标准版基础上强化电源完整性，在硅桥中集成MIM (金属 - 绝缘体 - 金属)电容，增強(qiáng)电源完整性，適合高功率 AI应用
EMIB-T：引入 TSV 通孔技術(shù)，進(jìn)一步提升互連密度，突破內(nèi)存集成与功率傳輸瓶頸?
EMIB 3.5D：融合 3D 堆叠技术，实现垂直堆叠和水平桥接的混合集成架构，总互连带宽较 EMIB-T提升200%。

从成本来看，CoWoS以全覆盖硅中介层为核心，通过大面积硅基材料实现极致互连密度，但硅中介层占 BOM 成本 50-70%。CoWoS-L虽采用混合中介设计，成本仍比 EMIB-T 高 60% 以上。?

而EMIB以局部硅桥为核心，硅材料用量仅为CoWoS 的 1/3-1/5，封装成本整体低35-50%。EMIB-T引入 TSV 后，在性能逼近 CoWoS-L 的同时，成本仍保持 30% 以上优势。

EMIB 是英特尔創(chuàng)新的2.5D 封裝技術(shù)，通過(guò)新的封裝思路，在成本、性能和靈活性間取得平衡。尤其在 AI 芯片需求爆發(fā)、臺(tái)積電 CoWoS 產(chǎn)能緊張的背景下，EMIB 正成為芯片設(shè)計(jì)公司的重要選擇，推動(dòng)先進(jìn)封裝市場(chǎng)從一家獨(dú)大向多元競(jìng)爭(zhēng)格局轉(zhuǎn)變。隨著 AI 芯片面積增大、HBM 顆數(shù)增多、先進(jìn)封裝產(chǎn)能緊缺，EMIB 正被越來(lái)越多云廠商和芯片公司視為高性價(jià)比替代路線，并將在 2026–2028 年迎來(lái)更大規(guī)模的上量。